FET de GaN – Mouser España

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CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

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Resultados: 12

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Polaridad de transistor	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Tecnología
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 3,35 € 4.511En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGLR65R140D2XUMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGLR65R140D2XUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	4.511En existencias	Cinta extraída 3,35 € 2,20 € 1,54 € 1,26 € 1,21 € Bobina 1,07 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 5.000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 2,47 € 4.815En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGLR65R200D2XUMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGLR65R200D2XUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	4.815En existencias	Cinta extraída 2,47 € 1,60 € 1,10 € 0,886 € Ver Bobina 0,703 € 0,827 € 0,812 € 0,703 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 5.000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 2,15 € 4.699En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGLR65R270D2XUMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGLR65R270D2XUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	4.699En existencias	Cinta extraída 2,15 € 1,38 € 0,946 € 0,753 € Bobina 0,586 € Ver 0,685 € 0,675 € 0,582 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 5.000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 9,47 € 1.661En existencias 1.800Fecha prevista: 28/01/2027 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGLT65R035D2ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGLT65R035D2ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	1.661En existencias 1.800Fecha prevista: 28/01/2027	Cinta extraída 9,47 € 5,42 € 5,14 € 4,85 € 4,20 € Bobina 4,16 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 7,37 € 977En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGLT65R045D2ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGLT65R045D2ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	977En existencias	Cinta extraída 7,37 € 4,01 € 3,68 € 3,62 € 3,16 € Bobina 3,07 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	38 A	54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W		GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 4,06 € 1.262En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGLT65R110D2ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGLT65R110D2ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	1.262En existencias	Cinta extraída 4,06 € 2,68 € 1,90 € 1,63 € Bobina 1,38 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	15 A	140 mOhms	- 10 V	1.6 V	3.4 nC	- 40 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 11,46 € 602En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGOT65R025D2AUMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGOT65R025D2AUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	602En existencias	Cinta extraída 11,46 € 7,69 € 7,12 € 6,17 € Bobina 5,38 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	61 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	181 W	Enhancement	GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 9,49 € 467En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGOT65R035D2AUMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGOT65R035D2AUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	467En existencias	Cinta extraída 9,49 € 5,28 € 5,04 € 4,28 € Bobina 4,28 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 7,59 € 2.068En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGOT65R045D2AUMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGOT65R045D2AUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	2.068En existencias	Cinta extraída 7,59 € 4,14 € 3,71 € Bobina 3,28 € 3,20 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 6,34 € 583En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGOT65R055D2AUMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGOT65R055D2AUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	583En existencias	Cinta extraída 6,34 € 3,40 € 3,11 € 2,51 € Bobina 2,51 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 10,94 € 9.060Pedido Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGLT65R025D2AUMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGLT65R025D2AUMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	9.060Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IGLT65R025D2AUMA1 Existencias: 0 Pedido: 1.860 Fecha prevista: 08/10/2026 3.600 Fecha prevista: 22/10/2026 3.600 Fecha prevista: 20/05/2027 Plazo de producción de fábrica: 18 Semanas	Cinta extraída 10,94 € 6,20 € 6,11 € 6,05 € 5,19 € Bobina 5,19 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	67 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	219 W	Enhancement	GaN
FET de GaN HV GAN DISCRETES IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 6,18 € 3.596Fecha prevista: 19/11/2026 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IGLT65R055D2ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-IGLT65R055D2ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	FET de GaN HV GAN DISCRETES Más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	3.596Fecha prevista: 19/11/2026	Cinta extraída 6,18 € 3,66 € 3,16 € 2,90 € 2,49 € Bobina 2,49 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN

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