NTH4L028N170M1

onsemi
863-NTH4L028N170M1
NTH4L028N170M1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
81 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
535 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13 ns
Transconductancia delantera: mín.: 31 S
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 18 ns
Serie: NTH4L028N170M1
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 121 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 47 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país puede cambiar en el momento del envío.

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En existencias: 772

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máximo: 30
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
31,02 € 31,02 €
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