FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

Resultados: 12
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Cualificación
Empaquetado

onsemi IGBT FS3 TIGBT Excellent switching performan
Hoja de datos
502En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDTL4 Tube
onsemi IGBT 600 V 80 A 79 W
Hoja de datos
517En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 30

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi IGBT 650V 150A 187W
Hoja de datos
332En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 150 A 187 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD Tube

onsemi IGBT 650V/75A FS TRENCH IGBT
Hoja de datos
758En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.69 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD AEC-Q101 Tube
onsemi IGBT 650V, 60A Field Stop IGBT
Hoja de datos
1.075En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGA60N65SMD Tube

onsemi IGBT 650V FS3 Trench IGBT
Hoja de datos
553En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 40

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDT Tube

onsemi IGBT 650 V 100 A 240 W
Hoja de datos
81En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 340 W - 55 C + 175 C FGH50T65UPD Tube
onsemi FGH60T65SHD-F155
onsemi IGBT FS3TIGBT TO247 60A 650V
Hoja de datos
2.165En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 270

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 349 W - 55 C + 175 C FGH60T65SHD Tube
onsemi IGBT 650V, 40A Field Stop IGBT
Hoja de datos
81En existencias
900Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 150

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGA40N65SMD Tube
onsemi IGBT FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
Hoja de datos
55En existencias
450Fecha prevista: 01/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 60

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGA40T65SHD Tube

onsemi IGBT 650V FS Gen3 Trench IGBT
Hoja de datos
105En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHDF Tube
onsemi FGH40T65SHD-F155
onsemi IGBT FS3TIGBT TO247 40A 650V
Hoja de datos
Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHD Tube