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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Id: corriente de drenaje continuo
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast BDS 650V 102mOhm TOLT
Hoja de datos
266En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 450

SMD/SMT TOLT-16 25 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.08 nC - 40 C + 150 C
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast BDS 650V 102mOhm TOLT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

SMD/SMT TOLT-16 25 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.08 nC - 40 C + 150 C