Resultados: 11
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Tecnología
Nexperia FET de GaN GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1.756En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia FET de GaN GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL 238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT 250En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4 249En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL 160En existencias
90Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT 220En existencias
30Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3 240En existencias
10Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1.882En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia FET de GaN GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2.334En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia FET de GaN GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 566En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia FET de GaN GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 52En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN