Resultados: 11
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal
Nexperia FET de GaN GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1.828En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1.921En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2.156En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 83En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 514En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
250Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
250Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
249Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
250Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
250Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
250Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1