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MOSFET OptiMOS™-5 de 60 V para automoción IAUZ4xN06S5
Los MOSFET OptiMOS™-5 de 60 V para automoción IAUZ4xN06S5 de Infineon Technologies ofrecen una resistencia de estado de activación con fuente de drenaje baja, una carga de compuerta baja y una capacitancia de compuerta baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción y conmutación. Estos MOSFET de canal N y modo de mejora también incluyen una carga de recuperación inversa extremadamente baja de 22,7 nC a 23,0 nC.