Controladores de compuerta IGBT/SiC avanzados GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Serie
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Voltaje de aislamiento
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Tensión del suministro - Máx
Tensión del suministro - Mín
Empaquetado
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Hoja de datos
2.387En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Hoja de datos
138En existencias
704Fecha prevista: 07/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 176
Múlt.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 176
Múlt.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray