CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
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Tecnología
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Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor


Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.273En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
637En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
369En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
1.001En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 70

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
783En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
752En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
Hoja de datos
603En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
269En existencias
480Fecha prevista: 05/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
135En existencias
240Fecha prevista: 29/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
305En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.518En existencias
3.120Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
597En existencias
240Fecha prevista: 20/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Hoja de datos
307En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
480Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
20En existencias
1.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
65En existencias
960Fecha prevista: 17/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
43En existencias
1.920Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
2.160Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
2.877Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
701Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.420Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
480Fecha prevista: 17/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
741Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel