CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
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Tecnología
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Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor


Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.202En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
368En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
923En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
617En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
699En existencias
240Fecha prevista: 01/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
721En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
3.910En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
Hoja de datos
603En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
333En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
386En existencias
720Fecha prevista: 09/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
594En existencias
2.160Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
571En existencias
720Fecha prevista: 01/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
260En existencias
480Fecha prevista: 30/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
480Fecha prevista: 08/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
135En existencias
2.640Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
142En existencias
240Fecha prevista: 05/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
162En existencias
240Fecha prevista: 19/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Hoja de datos
187En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
119En existencias
1.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 240

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
2.877Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
2.160Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.440Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
960Fecha prevista: 16/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel