UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are high-performance devices that deliver Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speeds, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Resultados: 29
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4 576En existencias
47,26 €
33,72 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 638En existencias
12,01 €
6,90 €
6,84 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562En existencias
12,01 €
8,51 €
7,45 €
6,28 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247 1.258En existencias
13,16 €
7,94 €
6,76 €
6,22 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7 287En existencias
Cinta extraída
25,44 €
20,15 €
18,79 €
16,99 €
Bobina
16,99 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/60MOSICFETG4TO263 1.266En existencias
Cinta extraída
6,77 €
3,66 €
3,62 €
3,49 €
Bobina
3,49 €
3,05 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7 278En existencias
Cinta extraída
21,04 €
15,71 €
13,59 €
12,18 €
Bobina
12,18 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263 486En existencias
Cinta extraída
13,08 €
7,66 €
7,25 €
Bobina
7,25 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263 648En existencias
Cinta extraída
12,07 €
6,91 €
6,54 €
Bobina
6,54 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL 1.539En existencias
Cinta extraída
43,89 €
35,43 €
32,43 €
Bobina
32,43 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL 714En existencias
Cinta extraída
29,14 €
21,29 €
20,32 €
20,15 €
Bobina
20,15 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL 2.497En existencias
Cinta extraída
19,75 €
12,81 €
12,08 €
11,44 €
Bobina
11,44 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL 2.815En existencias
Cinta extraída
13,55 €
8,02 €
7,59 €
Bobina
7,59 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL 2.525En existencias
Cinta extraída
11,99 €
6,85 €
6,48 €
Bobina
6,48 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL 3.269En existencias
Cinta extraída
9,90 €
5,54 €
5,33 €
5,04 €
Bobina
5,04 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL 1.266En existencias
Cinta extraída
16,51 €
11,76 €
10,35 €
9,67 €
Bobina
9,67 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 3.930En existencias
2.400Fecha prevista: 03/11/2026
13,36 €
7,64 €
7,10 €
7,06 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 310En existencias
600Fecha prevista: 18/12/2026
10,61 €
5,85 €
5,52 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 1.908En existencias
11,04 €
6,20 €
6,04 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 211En existencias
13,44 €
7,60 €
7,52 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 291En existencias
14,64 €
8,32 €
7,82 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 371En existencias
10,49 €
5,78 €
5,44 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7 331En existencias
Cinta extraída
28,81 €
20,98 €
19,87 €
Bobina
19,87 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/11MOSICFETG4TO247-4 976En existencias
17,03 €
12,72 €
11,00 €
10,41 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 10En existencias
600Fecha prevista: 28/10/2027
20,14 €
12,46 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET