CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs excel in performance, reliability, and robustness. The Infineon Technologies CoolSiC 750V G1 features flexible gate driving for simplified, cost-effective system design. The MOSFETs allow for optimized efficiency and power density.

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Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
230En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
230En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.063En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
730En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
86En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
188En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
186En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 750
Múlt.: 750
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel