Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

FDMS86105

Name: onsemi FDMS86105
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86105
Price: 2.63 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

512-FDMS86105

Fabr. N.º:

FDMS86105

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86105 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi FDMS86105

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	Power-56-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	34 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	11 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	48 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Transconductancia delantera: mín.:	15 S
Número de contactos:	8
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDMS86105
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	68,100 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

FDMS86105 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET PowerTrench®

Fairchild ofrece la gama de MOSFET PowerTrench® más amplia del sector. Elija entre las diferentes tecnologías para obtener el MOSFET adecuado para su aplicación. Fairchild ofrece versiones de canal N y canal P de los MOSFET con su avanzado proceso Power Trench®, que ha sido optimizado para un rendimiento de conmutación R_DS(ON) bajo y para mejorar su resistencia. Estos MOSFET PowerTrench® se ofrecen con opciones para satisfacer las necesidades de la mayoría de aplicaciones, como conmutadores de carga, conmutación primaria, dispositivos móviles, convertidores CC-CC, rectificadores síncronos y mucho más.
Más información

FDMS86105 N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMS86105 N-Channel PowerTrench® MOSFETs are designed to minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. These 100V, 26A, 34mΩ onsemi MOSFETs feature MSL 1 robust package design. onsemi FDMS86105 PowerTrench MOSFETs are designed for use in primary DC-DC, secondary DC-DC, and load switch applications.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

Más información

80V Single N-Channel Power MOSFETs

Offer low R_DS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

Más información

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Más información

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Más información

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Más información

En existencias: 2.875

Existencias:: 2.875 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 52 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,63 €	2,63 €
	1,69 €	16,90 €
	1,16 €	116,00 €
	0,946 €	473,00 €
	0,877 €	877,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,85 €	2.550,00 €
	0,822 €	4.932,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

FDMS86105

Compartir esto

Fabr.: onsemi

Descripción: MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Especificaciones

Documentos (5)

Hoja de datos

PCN

Documentos medioambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

MOSFET PowerTrench®

FDMS86105 N-Channel PowerTrench® MOSFETs

Otros clientes también compraron

PRODUCTOS DESTACADOS ONSEMI

En existencias: 2.875

Precio (EUR)

Vista rápida

Se ha producido un error inesperado.

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI