Módulos de potencia de SiC de alta densidad

Los módulos de potencia de carburo de silicio (SiC) de alta densidad de ROHM Semiconductor están diseñados para permitir una conversión de potencia de alta eficiencia en aplicaciones automovilísticas e industriales. La gama incluye varias plataformas de encapsulado, como TRCDRIVE pack™, HSDIP20 y DOT-247, cada una de ellas optimizada para diferentes clases de potencia y requisitos del sistema. Estos encapsulados integran MOSFET de SiC en estructuras de módulos compactas que permiten una alta densidad de potencia, un rendimiento de conmutación estable y una gestión térmica eficiente. En función del encapsulado, se ofrecen configuraciones como 2 en 1, 4 en 1 y 6 en 1, lo que proporciona flexibilidad para una amplia gama de aplicaciones de conversión de potencia y control de motores.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Empaquetado
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Hoja de datos
60En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC 4 Channel 1.2 kV 70 A 25 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 106A, Half-bridge, SiC Power Module
Hoja de datos
223En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC DOT-247-7 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 106 A 15 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 361 W Tube
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
Hoja de datos
80En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 394 A 8.6 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 1.667 kW Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Hoja de datos
60En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 47 A 37 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 227 W Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Hoja de datos
56En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 4 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 750V, 90A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Hoja de datos
60En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk