FET eMode GaN

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Resultados: 18
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal
Nexperia FET de GaN GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1.908En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2.404En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2.416En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1.945En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2.354En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1.921En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2.155En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 830En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 2.633En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2.488En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 83En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 531En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
250Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
250Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
249Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
250Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
250Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia FET de GaN GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
250Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1