650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
Hoja de datos
420En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 44

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
Hoja de datos
377En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 42

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
Hoja de datos
439En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 44

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 45

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
Hoja de datos
1.983En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT SO-8 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 170 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
Hoja de datos
1.970En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SMD/SMT SO-8 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 170 C 139 W Enhancement EliteSiC