IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

Resultados: 13
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal
IXYS MOSFET de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900En existencias
Cinta extraída
11,16 €
6,32 €
6,24 €
5,91 €
Bobina
5,91 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC SiC MOSFET in TO263 894En existencias
Cinta extraída
6,72 €
4,55 €
3,32 €
Bobina
2,99 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC SiC MOSFET in TO263-7L 870En existencias
Cinta extraída
7,67 €
4,19 €
3,85 €
3,57 €
Bobina
3,57 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC SiC MOSFET in TO263-7L 900En existencias
Cinta extraída
9,29 €
5,16 €
4,91 €
4,59 €
Bobina
4,59 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 813En existencias
Cinta extraída
10,25 €
6,75 €
6,10 €
5,55 €
Bobina
5,08 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL 2.084En existencias
Cinta extraída
11,16 €
6,32 €
6,24 €
5,83 €
Bobina
5,83 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC SiC MOSFET in TOLL 2.095En existencias
Cinta extraída
7,59 €
4,14 €
3,80 €
3,76 €
3,56 €
Bobina
3,56 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC SiC MOSFET in TOLL 2.090En existencias
Cinta extraída
9,18 €
5,10 €
4,83 €
4,58 €
Bobina
4,58 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 520En existencias
11,37 €
6,45 €
5,98 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC TO247 1200V N CH 20A 542En existencias
Cinta extraída
6,40 €
3,43 €
2,80 €
Bobina
2,80 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV 550En existencias
7,79 €
4,26 €
3,69 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV 550En existencias
9,36 €
6,45 €
4,69 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 537En existencias
Cinta extraída
10,47 €
6,76 €
6,27 €
Bobina
5,47 €
5,23 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement