Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 8.652En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.9 A 2.8 Ohms 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 2.080En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 5.7 A 950 mOhms 20 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.7 A 2.19 Ohms 20 V 3 V 31 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 180En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16.7 A 250 mOhms 20 V 2.1 V 91 nC - 40 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 121En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3.9 A 1.22 Ohms 20 V 2.1 V 23 nC - 40 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 29En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.8 A 460 mOhms 20 V 2.1 V 64 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 105En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.7 A 2.19 Ohms 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2 No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3.9 A 1.4 Ohms 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel