Resultados: 43
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1.366En existencias
2.640Fecha prevista: 23/09/2027
6,83 €
3,60 €
3,31 €
3,09 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 2.756En existencias
6,05 €
3,23 €
2,96 €
2,81 €
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 413En existencias
720Fecha prevista: 20/05/2027
9,40 €
5,12 €
4,74 €
4,71 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 160En existencias
240Fecha prevista: 10/12/2026
8,48 €
5,56 €
4,07 €
4,06 €
3,94 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 752En existencias
3,22 €
2,10 €
1,52 €
1,28 €
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 338En existencias
2,92 €
1,46 €
1,32 €
1,06 €
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 748En existencias
3,21 €
1,62 €
1,46 €
1,19 €
1,15 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 250En existencias
8,58 €
5,87 €
4,84 €
4,33 €
4,08 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 41En existencias
500Fecha prevista: 10/12/2026
6,97 €
3,77 €
3,46 €
3,17 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 114En existencias
240Fecha prevista: 31/12/2026
5,01 €
2,56 €
2,34 €
2,04 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 90En existencias
10,24 €
6,98 €
6,80 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 151En existencias
12,95 €
7,29 €
7,16 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 61En existencias
Cinta extraída
7,76 €
4,29 €
3,95 €
3,88 €
Bobina
3,47 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 517En existencias
Cinta extraída
4,84 €
2,53 €
2,46 €
2,18 €
2,02 €
Bobina
1,95 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 90 mOhms 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
4.000Fecha prevista: 04/02/2027
Cinta extraída
10,85 €
7,85 €
6,54 €
5,83 €
Bobina
5,51 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
500Fecha prevista: 03/06/2027
4,09 €
2,12 €
1,92 €
1,57 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Bobina
1,55 €
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW No en almacén Plazo producción 8 Semanas
4,22 €
2,12 €
2,00 €
1,89 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube