Resultados: 5
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 5A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.393En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
Hoja de datos
1.223En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRF8
Hoja de datos
1.182En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 5A N-CH MOSFET
Hoja de datos
735En existencias
800Fecha prevista: 24/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 5A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.098En existencias
2.000Fecha prevista: 21/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube