π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

Resultados: 22
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 10.131En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 2 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 53.911En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 143.058En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
22.613En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 11 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
32.440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
6.899En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching
4.607En existencias
24.000Fecha prevista: 25/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching
39.437En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V 12.014En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 4.3 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
1.431En existencias
15.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching
3.340En existencias
30.000Fecha prevista: 08/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 14.510En existencias
32.000Fecha prevista: 25/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1 898En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-553-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 616En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V 4.700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.7 V + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
3.937En existencias
8.000Fecha prevista: 18/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
14.998Fecha prevista: 12/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 100 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
8.000Fecha prevista: 21/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 20 Ohms, 44 Ohms 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
12.000Fecha prevista: 11/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 180 mA 20 Ohms, 20 Ohms 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 460 mOhms, 460 mOhms 20 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 MOSVI Reel, Cut Tape