π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

Resultados: 22
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 10.168En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1 22.763En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 11 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1 31.091En existencias
4.000Fecha prevista: 24/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching 8.388En existencias
18.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching 16.182En existencias
24.000Fecha prevista: 28/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V 12.125En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 4.3 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 46En existencias
54.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 1.794En existencias
15.000Fecha prevista: 14/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 3.682En existencias
140.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 7.460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 100 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching 34.355En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 22.787En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V 7.239En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1 898En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-553-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 616En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V 4.700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V 2.744En existencias
12.000Fecha prevista: 16/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
8.000Fecha prevista: 14/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 20 Ohms, 44 Ohms - 10 V, 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
16.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 180 mA 20 Ohms, 20 Ohms - 10 V, 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET
6.000Fecha prevista: 14/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 460 mOhms, 460 mOhms - 20 V, 20 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms - 10 V, 10 V 600 mV + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 MOSVI Reel, Cut Tape