CGHV50200F

MACOM
941-CGHV50200F
CGHV50200F

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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MACOM
Categoría de producto: FET de GaN
Restricciones de envío:
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RoHS:  
Screw Mount
4402015
N-Channel
150 V
17 A
- 3.4 V
- 40 C
+ 150 C
5 GHz
4.4 GHz
GaN
Marca: MACOM
Kit de desarrollo: CGHV50200F-AMP
Ganancia: 11.5 dB
Energía de salida: 180 W
Empaquetado: Tray
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 10
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente): - 10 V to 2 V
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
3A001.b.3.a
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

CGHV50200F GaN HEMT

MACOM CGHV50200F 200W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is ideal for SatCom applications, such as troposcatter communications and beyond line-of-sight (BLOS). Thise GaN HEMT is matched to 50Ω for ease of use and is designed for continuous wave (CW), pulse, and linear modes of power amplifier operation. The device is supplied in a ceramic/metal flange type 440217 package and offers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. MACOM CGHV50200F GaN HEMT delivers a higher breakdown voltage, higher temperature operation, higher efficiency, higher thermal conductivity, higher power density, and wider bandwidths than conventional silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) devices.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 10   Múltiples: 10
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Precio total:
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Precio (EUR)

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