650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.

Resultados: 14
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 268En existencias
7,77 €
4,65 €
3,92 €
3,58 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 300En existencias
8,51 €
5,25 €
4,55 €
4,08 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 126En existencias
10,28 €
6,98 €
6,80 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device 675En existencias
Cinta extraída
16,98 €
10,73 €
10,16 €
Bobina
10,16 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device 675En existencias
Cinta extraída
9,30 €
5,17 €
4,92 €
4,64 €
Bobina
4,64 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1.118En existencias
Cinta extraída
4,35 €
2,53 €
2,12 €
1,78 €
Bobina
1,64 €
1,56 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 15 A 155 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 818En existencias
Cinta extraída
5,80 €
3,08 €
2,82 €
2,63 €
Bobina
2,49 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1.155En existencias
Cinta extraída
8,92 €
4,95 €
4,67 €
Bobina
4,41 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 700 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 428En existencias
9,40 €
5,12 €
4,74 €
4,71 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 181En existencias
12,95 €
7,29 €
7,16 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 71En existencias
500Fecha prevista: 10/12/2026
6,97 €
3,77 €
3,46 €
3,17 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 40En existencias
17,72 €
12,81 €
11,46 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
12,93 €
7,34 €
6,82 €
6,65 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW No en almacén Plazo producción 19 Semanas
6,60 €
3,50 €
3,22 €
2,74 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube