NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC MOSFET

onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC (Silicon Carbide) MOSFET is optimized for fast switching applications and offers a low 22mΩ drain-to-source on-resistance. The M3S Series SiC MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive. This device features planar technology, which works reliably with a negative gate voltage drive and turns off spikes on the gate. 

Resultados: 4
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
Hoja de datos
1.464En existencias
Cinta extraída
10,90 €
6,30 €
6,22 €
5,88 €
Bobina
5,88 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Hoja de datos
777En existencias
Cinta extraída
17,02 €
11,35 €
10,74 €
Bobina
10,74 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
Hoja de datos
132En existencias
800Fecha prevista: 13/04/2027
Cinta extraída
7,46 €
4,70 €
4,09 €
3,47 €
Bobina
3,47 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
Hoja de datos
16En existencias
Cinta extraída
9,52 €
5,74 €
5,19 €
4,90 €
Bobina
4,90 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC