P-Channel MOSFETs

Toshiba P-Channel MOSFETs product offering features P-channel power MOSFETs for load switching in ultra-portable mobile computing devices and battery protection circuits for large capacity batteries. Developed using advanced trench-gate processes and packaging technologies, the P-channel MOSFETs are optimized to provide low on-resistance. These low on-resistance power MOSFETs also offer high current ratings, low capacitance, and high permissible power dissipation within a small form factor to meet the lower voltage and lower power requirements of system power supplies in portable electronics applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
Hoja de datos
1.024En existencias
20.000Fecha prevista: 19/10/2026
Cinta extraída
2,21 €
1,23 €
0,972 €
0,773 €
Ver
Bobina
0,623 €
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.7 mOhms 12 V 500 mV 182 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
Hoja de datos
29.964Fecha prevista: 16/10/2026
Cinta extraída
1,29 €
0,605 €
0,538 €
0,419 €
Ver
Bobina
0,295 €
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel