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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
Hoja de datos
3.477En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 2 mOhms 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
Hoja de datos
7.805En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 45 mOhms 12 V 1.8 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
Hoja de datos
36.149En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 17.5 mOhms 12 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
Hoja de datos
31.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 45 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 83 A 12 mOhms 30 V 1.8 V 71 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Tube