DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules offer a 1.35V at 100A forward voltage and a 500W power dissipation. The devices operate at a -40°C to +150°C maximum temperature range. The Infineon DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules are available in a package of 45mm x 107.5mm x 20.5mm (W x L x H).

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
If - Corriente delantera
Configuración
Vf - Tensión delantera
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Tecnología
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos de diodos LOW POWER ECONO
Hoja de datos
15En existencias
30Fecha prevista: 31/12/2026
55,22 €
40,82 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos de diodos LOW POWER ECONO
Hoja de datos
13En existencias
59,37 €
44,08 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Tray
Infineon Technologies Módulos de diodos LOW POWER ECONO
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
46,33 €
41,62 €
Cotización
Mín.: 15
Múlt.: 15
Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray