Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

NTBG028N170M1

Name: onsemi NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG028N170M1
Price: 34.54 EUR
Availability: Discontinued

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NTBG028N170M1

Fabr. N.º:

NTBG028N170M1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

NTBG028N170M1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NTBG028N170M1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.7 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	71 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	40 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 15 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	222 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	428 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	27 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Serie:	NTBG028N170M1
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	121 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	47 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTBG028N170M1 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTBG028N170M1 de 1700 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTBG028N170M1 de 1700 V de Onsemi están optimizados para aplicaciones de conmutación rápida. Los MOSFET onsemi cuentan con tecnología planar que funciona de forma fiable con accionamientos de tensión de compuerta negativa y reducen los picos en la compuerta. Esta gama tiene un rendimiento óptimo cuando se gestiona con un controlador de compuerta de 20 V, pero también funciona bien con un controlador de compuerta de 18 V.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Más información

Módulo MOSFET de potencia de puente en H EliteSiCNXVF6532M3TG01 de 650 V

Ofrece una eficiencia superior, conmutación rápida y un sólido rendimiento térmico.

Más información

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Más información

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Más información

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Más información

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 509

Fecha prevista: 06/11/2026

5.600

2.400

Fecha prevista: 05/01/2027

2.400

Fecha prevista: 15/01/2027

800

Fecha prevista: 12/03/2027
Plazo de producción de fábrica:: 30

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1 Máximo: 280

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	34,54 €	34,54 €
	28,05 €	280,50 €
	26,87 €	2.687,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	26,87 €	21.496,00 €

NTBG028N170M1

Fabr.: onsemi

Descripción: MOSFET de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Especificaciones

Documentos (1)

Hoja de datos

Documentos medioambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

M1 EliteSiC MOSFETs

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTBG028N170M1 de 1700 V

Otros clientes también compraron

PRODUCTOS DESTACADOS ONSEMI

Disponibilidad

Precio (EUR)

Vista rápida

Se ha producido un error inesperado.

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI