High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
IXYS IGBT TO268 2500V 2A IGBT
Hoja de datos
1.050En existencias
30Fecha prevista: 26/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3

IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Hoja de datos
281En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT TO268 3KV 42A IGBT
Hoja de datos
2.644En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBT PLUS247 2500V 25A IGBT
Hoja de datos
199En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT TO247 3KV 12A IGBT
Hoja de datos
262En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT TO268 3KV 12A BIMOSFET
Hoja de datos
277En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT TO264 3KV 55A BIMOSFET
Hoja de datos
620En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Hoja de datos
238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBT TO247 2500V 42A HI GAIN
Hoja de datos
23En existencias
300Fecha prevista: 29/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3


IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBT ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 77 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBT High Voltage High Gain BIMOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 77 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBT TO247 3KV 10A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 77 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT BIMOSFET 2500V 75A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 77 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 25
Múlt.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBT MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 77 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3