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NTBL023N065M3S

Name: onsemi NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL023N065M3S
Price: 10.54 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTBL023N065M3S

Fabr. N.º:

NTBL023N065M3S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

NTBL023N065M3S Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	H-PSOF-8
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	77 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	32.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	69 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	312 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.6 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Número de contactos:	8
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Serie:	NTBL023N065M3S
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for demanding power applications. The onsemi NTBL023N065M3S MOSFETs feature a typical R_DS(on) of 23mΩ at V_GS = 18V, ultra-low gate charge (Q_G(tot) = 69nC), and high-speed switching with low capacitance (C_oss = 152pF). Fully tested for avalanche performance, the MOSFETs are halide-free, RoHS-compliant with Exemption 7a, and Pb-free at the second-level interconnection. Ideal for applications like Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, Uninterruptable Power Supplies (UPS), energy storage systems, and infrastructure, these SiC MOSFETs provide robust performance for modern power management needs.

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Existencias:: 1.698 Puede enviarse inmediatamente

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NTBL023N065M3S

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Fabr.: onsemi

Descripción: MOSFET de SiC SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

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