NVBG070N120M3S

onsemi
863-NVBG070N120M3S
NVBG070N120M3S

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
25 A
87 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
172 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 8.8 ns
Transconductancia delantera: mín.: 12 S
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 12 ns
Serie: NVBG070N120M3S
Cantidad del paquete de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Polaridad de transistor: N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 11 ns
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país puede cambiar en el momento del envío.

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En existencias: 1.559

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
40 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
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9,99 € 99,90 €
8,50 € 850,00 €
8,04 € 4.020,00 €
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8,04 € 6.432,00 €