Dispositivos discretos MOSFET SiC GEN3 de 1200 V

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
SemiQ MOSFET de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Hoja de datos
179En existencias
270Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
SemiQ MOSFET de SiC Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Hoja de datos
50En existencias
30Fecha prevista: 09/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 140 A 52 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 108 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement
SemiQ MOSFET de SiC Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Hoja de datos
135En existencias
60Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 100 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
SemiQ MOSFET de SiC Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 350 A 23 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 260 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement