QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors are 220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz, providing typically 53.5dBm of saturated output power with 17dB of large-signal gain and 70% drain efficiency.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Id: corriente de drenaje continuo Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Frecuencia operativa máxima Frecuencia operativa mínima Tecnología
Qorvo FET de GaN 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10Fecha prevista: 26/11/2026
558,84 €
483,62 €
464,81 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo FET de GaN 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10Fecha prevista: 26/11/2026
558,84 €
483,62 €
464,81 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC