FET de GaN – Mouser España

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HEMT GaN en Sic RF de alta potencia GTVA

Los HEMT GaN en Sic RF de alta potencia GTVA de Wolfspeed / Cree son transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de 50 V HEMT basados en tecnología de nitruro de galio y carburo de silicio . Los dispositivos GaN en SiC ofrecen una densidad de potencia alta combinada con una alta tensión disuptiva, permitiendo amplificadores de potencia altamente eficientes. Los HEMT GaN en Sic RF de alta potencia GTVA disponen de adaptación de entrada, alta eficiencia y paquetes mejorados térmicamente. Estos dispositivos de impulsos/CW (onda continua) tienen un ancho de pulso de 128µnes;s y un ciclo de servicio del 10 %.

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Seleccionar	Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	RoHS	Modelo ECAD	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Polaridad de transistor	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Frecuencia operativa máxima	Frecuencia operativa mínima	Tecnología
	FET de GaN GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W GTVA126001EC-V1-R0 MACOM 1: 988,20 € 6En existencias	Fabr. N.º Ref. GTVA126001EC-V1-R0 N.º Ref. Mouser 941-GTVA126001ECV1R0	MACOM	FET de GaN GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W Más información sobre MACOM gtva rf gan sic hemts	Hoja de datos	6En existencias	Cinta extraída 988,20 € Bobina 988,20 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 50			Screw Mount	H-36248-2	N-Channel	150 V	10 A	- 3 V	1.4 GHz	1.2 GHz	GaN
	FET de GaN GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W GTVA107001EC-V1-R0 MACOM 1: 949,65 € 50Fecha prevista: 25/11/2026	Fabr. N.º Ref. GTVA107001EC-V1-R0 N.º Ref. Mouser 941-GTVA107001ECV1R0	MACOM	FET de GaN GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W Más información sobre MACOM gtva rf gan sic hemts	Hoja de datos	50Fecha prevista: 25/11/2026	Cinta extraída 949,65 € Bobina 949,65 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 50			Screw Mount	H-36248-2	N-Channel	150 V	10 A	- 3 V	1.215 GHz	960 MHz	GaN-on-SiC

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