FET de GaN – Mouser España

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	RoHS	Modelo ECAD	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Polaridad de transistor	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Modo canal	Nombre comercial	Tecnología
	FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN EPC2367 EPC 1: 6,62 € 16.137En existencias 6.000Fecha prevista: 04/11/2026 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. EPC2367 N.º Ref. Mouser 65-EPC2367 Nuevo producto	EPC	FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN Más información sobre EPC 2367 egan fets	Hoja de datos	16.137En existencias 6.000Fecha prevista: 04/11/2026	Cinta extraída 6,62 € 3,60 € 3,30 € 3,14 € 2,80 € Bobina 2,52 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 3.000			SMD/SMT	QFN-5	N-Channel	1 Channel	100 V	101 A	1.2 mOhms	- 4 V, 6 V	2.5 V	17 nC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET	GaN
	FET de GaN 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. EPC EPC2367A EPC2367A EPC 1: 6,08 € No en almacén Nuevo en Mouser	Fabr. N.º Ref. EPC2367A N.º Ref. Mouser 65-EPC2367A Nuevo en Mouser	EPC	FET de GaN 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. Más información sobre EPC 2367 egan fets	Hoja de datos	No en almacén	6,08 € 4,07 € 3,27 € 2,91 € 2,34 €	Mín.: 1 Múlt.: 1

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