Módulos de medio puente EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG
Los módulos de medio puente EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG de Onsemi son módulos de 2 paquetes con dos interruptores MOSFET SiC de 3 mΩ o 4 mΩ, 1200 V y un termistor con alúmina endurecida con circonio (HPS) de cobre de unión directa (DBC) o nitruro de silicio (Si3N4) DBC. Los interruptores MOSFET SiC encapsulados F2 utilizan la tecnología M3S y presentan un rango de accionamiento de puerta de 15 V a 18 V. Entre las aplicaciones se incluyen las conversiones CC-CA, CC-CC y CA-CC.
