MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies ofrecen una baja resistencia de activación en un paquete sin plomo SuperSO8. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento en aplicaciones industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible con MOSFET  de canal N de 40 V, 60 V y 80 V, en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). En comparación con los paquetes estándar de contorno de transistores (TO), el SuperSO8 aumenta la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento.

Resultados: 7
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.704En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 120 V 237 A 3 mOhms 20 V 4 V 158 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
9.516En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 2.000
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
12.574En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
5.651En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 22 mOhms 20 V 2.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
2.644En existencias
2.500Fecha prevista: 04/02/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.8 mOhms 20 V 1.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
4.272En existencias
5.000Fecha prevista: 06/10/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.9 mOhms 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
9.880Fecha prevista: 28/01/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel