FET de GaN – Mouser España

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TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

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Seleccionar	Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	RoHS	Modelo ECAD	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Polaridad de transistor	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Frecuencia operativa máxima	Frecuencia operativa mínima	Tecnología
	FET de GaN 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V TGF2965-SM Qorvo 1: 68,91 € 722En existencias	Fabr. N.º Ref. TGF2965-SM N.º Ref. Mouser 772-TGF2965-SM	Qorvo	FET de GaN 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V Más información sobre Qorvo tgf2965 sm transistor	Hoja de datos	722En existencias	68,91 € 68,23 € 52,79 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			SMD/SMT	QFN-16	P-Channel		32 V	600 mA				7.5 W	3 GHz	30 MHz	GaN
	FET de GaN .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT TGF2965-SMTR13 Qorvo 2.500: 54,67 € No en almacén Plazo producción 12 Semanas	Fabr. N.º Ref. TGF2965-SMTR13 N.º Ref. Mouser 772-TGF2965-SMTR13	Qorvo	FET de GaN .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 12 Semanas	Bobina 54,67 €	Mín.: 2.500 Múlt.: 2.500 : 2.500			SMD/SMT	QFN-16	N-Channel	1 Channel	32 V	600 mA	- 7 V, + 2 V	- 40 C	+ 85 C	7.5 W			GaN-on-SiC

TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

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