FET de SiC UJ4C/SC de 750 V en encapsulado D2PAK-7L
Los FET de SiC UnitedSiC / Qorvo 750V UJ4C/SC en encapsulado D2PAK-7L están disponibles en múltiples opciones de resistencia de encendido de 9 mΩ a 60 mΩ. Aprovechando una tecnología única de FET de SiC en cascada en la que un JFET de SiC de conexión normal se combina con un MOSFET de Si para producir un FET de SiC de desconexión normal, estos dispositivos ofrecen la mejor cifra de méritoRDS x área de su clase, lo que se traduce en las menores pérdidas por conducción en una matriz pequeña. El encapsulado D2PAK-7L proporciona una inductancia reducida a partir de bucles de conexión internos compactos que, junto con la conexión de fuente Kelvin incluida, se traduce en una baja pérdida de conmutación, lo que permite un funcionamiento a mayor frecuencia y una densidad de potencia del sistema mejorada. Cinco conexiones de fuente de ala de gaviota en paralelo permiten una inductancia baja y un uso de corriente elevado. La fijación de la matriz mediante sinterización de plata ofrece una resistencia térmica muy baja para una extracción máxima del calor en placas de circuito impreso estándar y sustratos IMS con refrigeración líquida. Estos FET de SiC ofrecen un diodo de cuerpo bajo, una carga de compuerta ultrabaja y una tensión de umbral de 4,8 V que permite un accionamiento de 0 V a 15 V. Las características estándar de accionamiento de puerta de los FET los convierten en sustitutos ideales de los IGBT de Si, los FET de Si, los MOSFET de SiC o los dispositivos de superunión de Si.
