Resultados: 24
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1.389En existencias
18,19 €
12,82 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 3.296En existencias
Cinta extraída
23,61 €
18,36 €
17,52 €
17,38 €
Bobina
17,38 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947En existencias
Cinta extraída
18,13 €
13,62 €
12,91 €
12,89 €
Bobina
12,89 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 1.046En existencias
16,46 €
11,64 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1.830En existencias
Cinta extraída
8,12 €
4,75 €
4,44 €
4,20 €
Bobina
4,20 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC 60MOHM 900V 1.058En existencias
9,98 €
6,91 €
6,73 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS 20MOHM 900V 1.858En existencias
Cinta extraída
24,02 €
18,64 €
17,64 €
Bobina
17,64 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 498En existencias
8,72 €
5,79 €
5,45 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 1.589En existencias
10,41 €
7,21 €
7,06 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 400En existencias
9,41 €
6,11 €
5,79 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM 314En existencias
10,35 €
7,22 €
7,07 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 794En existencias
Cinta extraída
11,09 €
7,25 €
6,91 €
6,86 €
Bobina
6,86 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 202En existencias
24,74 €
17,37 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS 20MW 1200V 2.160En existencias
Cinta extraída
33,51 €
25,34 €
25,33 €
23,99 €
Bobina
23,99 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC 20MW 1200V 755En existencias
33,24 €
23,44 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS 60MOHM 900V 330En existencias
Cinta extraída
11,43 €
7,34 €
6,94 €
Bobina
6,94 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 426En existencias
Cinta extraída
11,76 €
7,00 €
6,62 €
Bobina
6,62 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 187En existencias
29,53 €
23,55 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1.733En existencias
6,52 €
4,55 €
4,34 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC 20MOHM 900V 64En existencias
450Pedido
25,60 €
17,82 €
17,54 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 363En existencias
450Fecha prevista: 10/11/2026
20,07 €
12,65 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 438En existencias
11,52 €
7,19 €
6,87 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 477En existencias
450Fecha prevista: 06/08/2027
8,64 €
4,74 €
4,37 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 183En existencias
11,24 €
6,24 €
5,96 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC