Transistores de GaN de potencia RF Airfast A5Gx

Los transistores de GaN de potencia RF A5Gx Airfast de NXP Semiconductors son transistores de GaN de potencia RF Doherty asimétricos de 85 W y 112 W. Los transistores A5Gx de NXP Semiconductors son ideales para estaciones base para comunicaciones de telefonía móvil que necesitan anchos de banda amplios. El rendimiento de los dispositivos está garantizado dentro del rango de frecuencia especificado para cada parte, pero no fuera.

Resultados: 6
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Frecuencia operativa máxima
Frecuencia operativa mínima
Tecnología

NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
35En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

1.995 GHz 1.93 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
208En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.2 GHz 2.11 GHz GaN-on-Si

NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Hoja de datos
30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 850 MHz 717 MHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 1.88 GHz 1.805 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.69 GHz 2.496 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 53 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 960 MHz 865 MHz GaN-on-Si