MOSFET de SiC – Mouser España

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 IMZC120R017M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 17,96 € 622En existencias 480Fecha prevista: 05/11/2026 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZC120R017M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R017M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	622En existencias 480Fecha prevista: 05/11/2026	17,96 € 12,97 € 11,27 € 10,76 € Cotización Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	97 A	17 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	382 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 IMZC120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,94 € 1.335En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZC120R022M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R022M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	1.335En existencias	15,94 € 10,97 € 9,48 € 8,83 € 8,42 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	80 A	22 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 IMZC120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,78 € 683En existencias 240Fecha prevista: 19/10/2026 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZC120R034M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R034M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	683En existencias 240Fecha prevista: 19/10/2026	10,78 € 5,96 € 5,64 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A		- 10 V, + 25 V	5.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	244 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 IMZC120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,74 € 632En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZC120R053M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R053M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	632En existencias	8,74 € 4,72 € 4,36 € 4,35 € 4,28 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	38 A	53 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 IMZC120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 22,89 € 9En existencias 960Pedido Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZC120R012M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R012M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	9En existencias 960Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZC120R012M2HXKSA1 Existencias: 9 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 480 Fecha prevista: 28/01/2027 240 Fecha prevista: 05/08/2027 240 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 60 Semanas	22,89 € 14,67 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	12 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C		Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,42 € 18En existencias 960Pedido Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZC120R026M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R026M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	18En existencias 960Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZC120R026M2HXKSA1 Existencias: 18 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 240 Fecha prevista: 20/10/2026 240 Fecha prevista: 28/01/2027 480 Fecha prevista: 06/05/2027 Plazo de producción de fábrica: 60 Semanas	13,42 € 7,66 € 7,13 € 7,10 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	69 A	25 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	289 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 IMZC120R078M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,18 € 5En existencias 960Pedido Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZC120R078M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R078M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	5En existencias 960Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZC120R078M2HXKSA1 Existencias: 5 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 240 Fecha prevista: 19/08/2027 720 Fecha prevista: 26/08/2027 Plazo de producción de fábrica: 60 Semanas	8,18 € 4,39 € 4,05 € 3,62 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	28 A	78 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	143 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,63 € 1.992Pedido Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZC120R040M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R040M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	1.992Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZC120R040M2HXKSA1 Existencias: 0 Pedido: 960 Fecha prevista: 16/10/2026 792 Fecha prevista: 23/10/2026 240 Fecha prevista: 12/11/2026 Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	10,63 € 5,98 € 5,46 € 5,23 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	48 A	40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	CoolSiC

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