MOSFET de SiC – Mouser España

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 IMZC120R017M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 19,05 € 957En existencias 2.160Pedido	Fabr. N.º Ref. IMZC120R017M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R017M2HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	957En existencias 2.160Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZC120R017M2HXKSA1 Existencias: 957 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 720 Fecha prevista: 28/01/2027 1.440 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	19,05 € 14,23 € 12,30 € 11,64 € Cotización Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	97 A	17 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	382 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 14,05 € 530En existencias 2.160Pedido	Fabr. N.º Ref. IMZC120R026M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R026M2HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	530En existencias 2.160Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZC120R026M2HXKSA1 Existencias: 530 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 720 Fecha prevista: 28/01/2027 1.440 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	14,05 € 10,70 € 8,92 € 7,94 € 7,42 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	69 A	25 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	289 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 11,05 € 1.519En existencias 240Pedido	Fabr. N.º Ref. IMZC120R040M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R040M2HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	1.519En existencias 240Pedido	11,05 € 7,99 € 6,66 € 5,92 € 5,54 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	48 A	40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 IMZC120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,17 € 374En existencias 480Fecha prevista: 14/12/2026	Fabr. N.º Ref. IMZC120R053M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R053M2HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	374En existencias 480Fecha prevista: 14/12/2026	9,17 € 4,99 € 4,61 € 4,60 € 4,48 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	38 A	53 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 IMZC120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 25,42 € 53En existencias 3.360Pedido	Fabr. N.º Ref. IMZC120R012M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R012M2HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	53En existencias 3.360Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZC120R012M2HXKSA1 Existencias: 53 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 240 Fecha prevista: 03/12/2026 240 Fecha prevista: 11/12/2026 1.440 Fecha prevista: 07/01/2027 1.440 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	25,42 € 20,35 € 17,60 € 16,66 € Cotización Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	12 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C		Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 IMZC120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 11,37 € 22En existencias 1.440Pedido	Fabr. N.º Ref. IMZC120R034M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R034M2HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	22En existencias 1.440Pedido	11,37 € 6,30 € 5,91 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A		- 10 V, + 25 V	5.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	244 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 IMZC120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,90 € 2.710Pedido	Fabr. N.º Ref. IMZC120R022M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R022M2HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	2.710Pedido	16,90 € 12,88 € 10,73 € 9,55 € 8,93 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	80 A	22 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 IMZC120R078M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,18 € 2.860Pedido	Fabr. N.º Ref. IMZC120R078M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R078M2HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	2.860Pedido	8,18 € 5,59 € 4,61 € 4,10 € 3,84 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	28 A	78 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	143 W	Enhancement	CoolSiC

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