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NTBG014N120M3P

Name: onsemi NTBG014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG014N120M3P
Price: 27.26 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTBG014N120M3P

Fabr. N.º:

NTBG014N120M3P

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

Hoja de datos:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	104 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	20 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.63 V
Qg (carga de compuertas):	337 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	454 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	29 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	40 ns
Serie:	NTBG014N120M3P
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	74 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-26 (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

M3P EliteSiC MOSFETs

onsemi M3P EliteSiC MOSFETs are a solution for high-voltage applications with a maximum voltage rating of 1200V. The onsemi M3P MOSFETs come in D2PAK7, TO-247-3LD, and TO-247-4LD packages/ The MOSFETs provide versatility for various design requirements. With a maximum gate-to-source voltage of +22V/-10V, EliteSiC MOSFETs boast improved parasitic capacitances, including Coss, Ciss, and Crss.

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El MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTBG014N120M3P de onsemi forma parte de la familia de MOSFET SiC planos M3P de 1200 V. Los MOSFET de onsemi están optimizados para aplicaciones de alimentación. La tecnología planar funciona de forma fiable con accionamientos de tensión de compuerta negativa y reduce los picos en la compuerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se gestiona con un controlador de compuerta de 18 VV, pero también funciona bien con un controlador de compuerta de 15 VV.

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NTBG014N120M3P

Fabr.: onsemi

Descripción: MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

Especificaciones

Documentos (2)

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