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.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Standard N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS Standard 500V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode MOSFETs that require a negative gate bias to turn off. The modules remain on at or above zero gate bias voltage but otherwise have similar MOSFET-like characteristics. The series is suitable for level shifting, solid-state relays, current regulators, and active loads.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Polaridad de transistor	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Empaquetado
	MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds IXTY02N50D IXYS 1: 3,11 € 3.125En existencias	Fabr. N.º Ref. IXTY02N50D N.º Ref. Mouser 747-IXTY02N50D	IXYS	MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds Más información sobre IXYS standard n channel power mosfets	Hoja de datos	3.125En existencias	3,11 € 1,49 € 1,27 € 1,08 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	200 mA	30 Ohms	20 V	5 V		- 55 C	+ 150 C	1.1 W	Depletion	Tube
	MOSFET TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL IXTH1N170DHV IXYS 1: 21,02 € 150En existencias	Fabr. N.º Ref. IXTH1N170DHV N.º Ref. Mouser 747-IXTH1N170DHV	IXYS	MOSFET TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL Más información sobre IXYS standard n channel power mosfets	Hoja de datos	150En existencias	21,02 € 14,63 € 13,71 € 13,56 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	1.7 kV	1 A	16 Ohms	20 V	2.5 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	290 W	Depletion	Tube
	MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 IXTY01N100D IXYS 1: 4,84 € 1.323En existencias	Fabr. N.º Ref. IXTY01N100D N.º Ref. Mouser 747-IXTY01N100D	IXYS	MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 Más información sobre IXYS standard n channel power mosfets	Hoja de datos	1.323En existencias	4,84 € 2,67 € 2,43 € 2,13 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	1 kV	100 mA	80 Ohms	20 V	4.5 V	5.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.1 W	Depletion	Tube
	MOSFET TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL IXTA1N170DHV IXYS 1: 24,89 € 649Fecha prevista: 22/02/2027	Fabr. N.º Ref. IXTA1N170DHV N.º Ref. Mouser 747-IXTA1N170DHV	IXYS	MOSFET TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL Más información sobre IXYS standard n channel power mosfets	Hoja de datos	649Fecha prevista: 22/02/2027	24,89 € 17,94 € 16,51 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Si	SMD/SMT	TO-263HV-2	N-Channel	1 Channel	1.7 kV	1 A	16 Ohms	20 V	4.5 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	290 W	Depletion	Tube
	MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds IXTP01N100D IXYS 1: 8,43 € 350Fecha prevista: 25/01/2027	Fabr. N.º Ref. IXTP01N100D N.º Ref. Mouser 747-IXTP01N100D	IXYS	MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds Más información sobre IXYS standard n channel power mosfets	Hoja de datos	350Fecha prevista: 25/01/2027	8,43 € 4,65 € 4,27 € 4,26 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	400 mA	80 Ohms	20 V	2 V	5.8 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Depletion	Tube