TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.

Resultados: 16
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Configuración If - Corriente delantera Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión delantera Ifsm - Corriente de sobretensión delantera Ir - Corriente inversa Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Cualificación Empaquetado
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode 1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.38 V 100 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode 997En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.38 V 100 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode 977En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode 984En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.32 V 44 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode 996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.35 V 72 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode 1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.34 V 84 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode 978En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.36 V 88 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode 200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.33 V 68 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 30A, 650V, SiC Schottky Diode 300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 650 V 1.36 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 40A, 650V, SiC Schottky Diode 274En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 650 V 1.33 V 140 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode 290En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.34 V 88 A 20 uA AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode 858En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.32 V 44 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode 527En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.35 V 72 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode 978En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.34 V 84 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode 1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.65 V 88 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube