NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Hoja de datos
780En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Hoja de datos
788En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Hoja de datos
739En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Hoja de datos
725En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C