650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower VCE(sat)  combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.

Resultados: 10
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Cualificación
Empaquetado
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
Hoja de datos
545En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
Hoja de datos
983En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
Hoja de datos
487En existencias
600Fecha prevista: 30/07/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
294En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C HB2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
Hoja de datos
390En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
14En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V HB2 AEC-Q100 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Hoja de datos
42En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
493En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Hoja de datos
Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C STGWA40IH65DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C HB2 Tube