2300V Silicon Carbide Power Modules

Wolfspeed 2300V Silicon Carbide Power Modules are a family of 2300V baseplate-less silicon carbide power modules for 1500V VBUS applications. This addition to the Wolfspeed WolfPACK™ family enables solar, energy storage and mega-watt fast EV charging companies to maximize performance while reducing BoM, production, and maintenance costs of the user's systems.

Resultados: 6
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tecnología
Vf - Tensión delantera
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Estilo de montaje
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 7.5m, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Hoja de datos
236En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 5m, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Hoja de datos
54En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 6m, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Hoja de datos
166En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 7.5m, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Hoja de datos
108En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 5m, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Hoja de datos
31En existencias
22Fecha prevista: 20/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 6m, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Hoja de datos
54Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C