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FDMS4D5N08LC

Name: onsemi FDMS4D5N08LC
Brand: onsemi
SKU: 863-FDMS4D5N08LC
Price: 3.4 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-FDMS4D5N08LC

Fabr. N.º:

FDMS4D5N08LC

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 80V 116A 4.2mOhm

Hoja de datos:

FDMS4D5N08LC Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PQFN-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	116 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	51 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	113.6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia delantera: mín.:	135 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	19 ns
Serie:	FDMS4D5N08LC
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	59 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns
Peso unitario:	122,136 mg

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PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET

onsemi FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with a soft body diode.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

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Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

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Disponibilidad

Existencias:: 0

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Pedido:: 3.000

Fecha prevista: 09/02/2027
Plazo de producción de fábrica:: 53

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Plazo de entrega largo indicado para este producto.

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,40 €	3,40 €
	2,05 €	20,50 €
	1,57 €	157,00 €
	1,31 €	655,00 €
	1,29 €	1.290,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,21 €	3.630,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

FDMS4D5N08LC

Fabr.: onsemi

Descripción: MOSFET 80V 116A 4.2mOhm

Especificaciones

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Documentos medioambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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onsemi

Descripción:

MOSFET 80V 116A 4.2mOhm

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