Resultados: 6
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Frecuencia operativa máxima
Frecuencia operativa mínima
Tecnología
MACOM FET de GaN Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
Hoja de datos
50En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 1.5 A 440 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C GaN, SiC
MACOM FET de GaN Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
Hoja de datos
50En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 3 A 220 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C GaN, SiC
MACOM FET de GaN Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
Hoja de datos
50En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 4.5 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C 6 GHz 0 Hz GaN, SiC
MACOM FET de GaN Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
Hoja de datos
40En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10
1 Channel 84 V 750 mA 740 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C 8 GHz 0 Hz GaN, SiC
MACOM FET de GaN Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C
Hoja de datos
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 60 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C 4 GHz 0 Hz GaN, SiC
MACOM FET de GaN Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
Hoja de datos
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C 4 GHz 0 Hz GaN, SiC