Resultados: 23
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC 23.399En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg 9.119En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC 37.590En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC 18.937En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 600 mA 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC 2.087En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 580 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg 3.497En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC 21.992En existencias
20.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC 5.369En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud 4.076En existencias
5.000Fecha prevista: 27/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC 3.848En existencias
17.600Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC 2.515En existencias
2.400Fecha prevista: 20/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg 7.690En existencias
15.000Fecha prevista: 08/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC 1.383En existencias
2.400Fecha prevista: 23/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 320 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg 4.270En existencias
6.400Fecha prevista: 28/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 62 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg 2.965En existencias
3.200Fecha prevista: 04/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 48 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg 6.041En existencias
20.800Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 77.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC 8.683En existencias
16.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 1 Channel 20 V 22 A 11.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 14 nC - 55 C + 150 C 9.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable 15.829En existencias
15.000Fecha prevista: 20/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 17.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC 3.125En existencias
2.400Fecha prevista: 22/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET 7.990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC 4.810En existencias
6.000Fecha prevista: 21/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 150 V 900 mA 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 4.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC 117En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9.3 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC 58En existencias
32.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel