NTBG023N065M3S

onsemi
863-NTBG023N065M3S
NTBG023N065M3S

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
650 V
40 A
33 mOhms
- 10 V, + 22.6 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
263 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9.6 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Número de contactos: 7
Producto: SiC MOSFETS
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 15 ns
Serie: NTBG023N065M3S
Cantidad del paquete de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Polaridad de transistor: N-Channel
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 11 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país puede cambiar en el momento del envío.

NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET

onsemi NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET offers an M3S planar technology for fast-switching applications in a D2PAK-7L package. This MOSFET features 650V drain-to-source voltage, 40A continuous drain current, 263W power dissipation, and 216A pulsed drain current. The NTBG023N065M3S MOSFET integrates an ultra-low gate charge and high-speed switching MOSFET with low capacitance (Coss = 153pF). This MOSFET operates at -55°C to 175°C temperature range and is 100% avalanche-tested. The NTBG023N065M3S MOSFET is Halide-free and RoHS compliant with a 7a exemption. Typical applications include Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, UPS, energy storage, and EV charging infrastructure.

NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a D2PAK-7L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTBG025N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

En existencias: 509

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
10,52 € 10,52 €
5,92 € 59,20 €
5,77 € 577,00 €
5,46 € 2.730,00 €
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5,46 € 4.368,00 €

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